Нижняя часть транзистора ГТ806Б с выводами крупным планом

118 просмотров

На фото показана нижняя часть транзистора ГТ806Б с тремя контактами. Видна детальная структура выводов, следы припоя и загрязнений. Центральный и боковые контакты расположены в основании корпуса, выполненного из металла с изоляторами. Снимок может быть полезен для технической документации, каталогов и учебных материалов по радиотехнике.

Теги

Автор
Роман Ш. 3,971 Фото
Перейти в профиль

Техническая информация

ID фото
#17017
Тип фотографии
JPG
Разрешение
2555x1437
Соотношение
16:9
Ориентация
Горизонтальная
Мегапиксели
3,7 МП
Размер файла
2.3 Мб
Лицензия
Обычная
Использование
Коммерческое
Атрибуция
Не требуется
Дата съемки
27 марта 2023
Дата публикации
25 июля 2025
Exif-данные
Фото сделано с Xiaomi Mi 11 Lite 4100/1000 f/2.4 1/100 ISO 51

Комментарии (0)

  • 118
  • 0
  • 0

Техническая информация

ID фото
#17017
Тип фотографии
JPG
Разрешение
2555x1437
Соотношение
16:9
Ориентация
Горизонтальная
Мегапиксели
3,7 МП
Размер файла
2.3 Мб
Лицензия
Обычная
Использование
Коммерческое
Атрибуция
Не требуется
Дата съемки
27 марта 2023
Дата публикации
25 июля 2025
Exif-данные
Фото сделано с Xiaomi Mi 11 Lite 4100/1000 f/2.4 1/100 ISO 51